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  学术讲座通知——陈堂胜研究员  
 

演讲人:   陈堂胜 研究员

(中国电子集团 55 )

题目:    GaN微波HEMT及其发展现状

时间:    2008410()下午2:30~4:30

地点:    东南大学李文正楼614北会议室

主办:    江苏省电子学会天线与微波专业委员会

东南大学毫米波重点实验室

IEEE AP-MTT-EMC Joint Nanjing Chapter

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摘要:

介绍了新一代固态微波功率器件GaN HEMT的主要技术特点,目前国外GaN HEMT的研究进展以及55所在这方面的研究进展,指出了GaN HEMT研究存在的主要问题及努力的方向。

 

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