学术讲座通知：GaN微波HEMT及其发展现状

演讲人:   陈堂胜研究员

(中国电子集团55 所)

题目:    GaN微波HEMT及其发展现状

时间:    2008年4月10日(四)下午2:30~4:30

地点:    东南大学李文正楼614北会议室

主办:    江苏省电子学会天线与微波专业委员会

东南大学毫米波重点实验室

IEEE AP-MTT-EMC Joint Nanjing Chapter

-----------------------------------------------------------------------------------------

摘要:

介绍了新一代固态微波功率器件GaN HEMT的主要技术特点，目前国外GaN HEMT的研究进展以及55所在这方面的研究进展，指出了GaN HEMT研究存在的主要问题及努力的方向。