毫米波太赫兹技术介绍
随着对电磁波谱的不断探索，人类对电子学和光学获得了充分的认识，并且通过对电子学和光学的研究，研发了各种器件，形成了两大较为成熟的研究和应用技术。一是微波毫米波技术，在雷达、射电天文、通信、成像、导航等领域得到了广泛的应用，另一个是光学技术，其应用已渗透到人们日常生活的方方面面。然而毫米波和光频段之间，还存在着丰富的未被充分开发的频谱资源，也就是太赫兹频段。传统上，微波频段定义为300MHz-26.5GHz，毫米波频段为26.5GHz-300GHz，而太赫兹频段为300GHz-10000GHz（10THz)。现在比较流行的一种说法是，0.3GHz-30GHz为微波频段，30GHz-300GHz 为毫米波频段，也有人将0.1THz-10THz称作太赫兹频段，如图1所示。
图 1 毫米波及太赫兹在电磁波谱中的位置
由于毫米波器件的成本较高，之前主要应用于军事用途。然而随着高速宽带无线通信、汽车辅助驾驶、安检、医学检测等应用领域的快速发展，近年来毫米波在民用领域也得到了广泛的研究和应用。目前，6GHz 以下的黄金通信频段，已经很难得到较宽的连续频谱，严重制约了通信产业的发展。相比之下，毫米波频段却仍有大量潜在的未被充分利用的频谱资源。因此，毫米波成为第五代移动通信的研究热点。2015 年在WRC2015大会上确定了第5 代移动通信研究备选频段：24.25-27.5GHz、37-40.5GHz、42.5-43.5GHz、45.5-47GHz、47.2-50.2GHz、50.4-52.6GHz、66-76GHz 和81-86GHz，其中31.8-33.4GHz、40.5-42.5GHz和47-47.2GHz在满足特定使用条件下允许作为增选频段。各种毫米波的器件、芯片以及应用都在如火如荼的开发着。相对于微波频段，毫米波有其自身的特点。首先毫米波具有更短的工作波长，可以有效减小器件及系统的尺寸；其次，毫米波有着丰富的频谱资源，可以胜任未来超高速通信的需求。此外，由于波长短，毫米波用在雷达、成像等方面有着更高的分辨率。到目前为止，人们对毫米波已开展了大量的研究，各种毫米波系统已得到广泛的应用。随着第五代移动通信、汽车自动驾驶、安检的民用技术的快速发展，毫米波将被广泛应用于人们日常生活的方方面面。
太赫兹研究主要集中在0.1-10THz频段。这是一个覆盖很广泛并且很特殊的一个频谱区域。 起初，这一频段被称为“THz Gap （太赫兹鸿沟）”，原因是这一频段夹在两个发展相对成熟的频谱，即电子学频谱和光学频谱之间。其低频段与电子学领域的毫米波频段有重叠，高频段与光学领域的远红外频段（波长：0.03-1.0mm）有重叠。由于这一领域的特殊性，形成了早期研究的空白区。但随着研究的开展，太赫兹频谱与技术对物理、化学、生物、电子、射电天文等领域的重要性逐渐显现，其应用也开始渗透到社会经济以及国家安全的很多方面，如生物成像、THz 波谱快速检测、高速通信、穿墙雷达等。太赫兹之所以具有良好的应用前景，主要得益于其光谱分辨力、安全性、透视性、瞬态性和宽带等特性。例如：自然界中许多生物大分子的振动和旋转频率都处在太赫兹频段，这对检测生物信息提供了一种有效的手段；太赫兹频段光子能量较低，不会对探测体造成损坏，可以实现无损检测；太赫兹波对介质材料有着良好的穿透能力，从而可作为探测隐蔽物体的手段；太赫兹脉冲的典型脉宽在皮秒量级，可以得到高信噪比的太赫兹时域谱，易于对各种材料进行光谱分析；此外，太赫兹频段的带宽很宽，从0.1-10THz，可为超高速通信提供丰富的频谱资源。
下面针对近些年毫米波及太赫兹领域的发展，分别对毫米波及太赫兹技术与应用做了归纳总结。在毫米波技术方面，结合目前一些热门的毫米波频段的系统应用，如毫米波通信、毫米波成像以及毫米波雷达等，对毫米波芯片发展做了重点介绍。在太赫兹技术方面，介绍了太赫兹波产生技术、太赫兹波传输技术和太赫兹波检测技术的研究进展，并在对其关键部件进行介绍的同时，对太赫兹领域的典型应用做了相应的介绍，主要包括太赫兹生物应用、医学应用、成像应用、大气科学、环境科学、通信技术和国家安全等。最后对未来毫米波以及太赫兹领域的发展做了展望，并指出了一些今后值得重点研究的方向。
毫米波技术
2.1毫米波芯片
近几十年来，毫米波技术得到了长足的进步。本节将介绍一些毫米波关键器件、关键技术和系统方面的进展。
传统的毫米波单片集成电路主要采用化合物半导体工艺，如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP） 等，其在毫米波频段具有良好的性能，是该频段的主流集成电路工艺。另一方面，近十几年来硅基（CMOS、SiGe 等）毫米波亚毫米波集成电路也取得了巨大进展。此外，基于氮化镓（GaN）工艺的大功率高频器件也迅速拓展至毫米波频段。
近十几年来，GaAs和InP工艺和器件得到了长足的进步。基于该类工艺的毫米波器件类型主要有高电子迁移率晶体管（HEMT）、改性高电子迁移率晶体管（mHEMT）和异质结双极性晶体管（HBT）等。目前GaAs mHEMT、InP HEMT和InP HBT的截止频率（ft）均超过500GHz，最大振荡频率（fmax）均超过1THz。2015年美国诺斯洛普格鲁门公司报道了工作于0.85THz的InP HEMT放大器，2013年美国Teledyne公司与加州理工大学喷气推进实验室报道了工作至0.67THz的InP HBT 放大器，2012年和2014年德国弗朗霍夫应用固体物理研究所报道了工作频率超过0.6THz的mHEMT放大器。
图 2 220 GHz低噪声放大器
图 3 220 GHz功率放大器
硅基工艺传统上以数字电路应用为主。随着深亚微米和纳米工艺的不断发展，硅基工艺特征尺寸不断减小，栅长的缩短弥补了电子迁移率的不足，从而使得晶体管的截止频率和最大振荡频率不断提高，这使得硅工艺在毫米波甚至太赫兹频段的应用成为可能。国际半导体蓝图协会（International Technology Roadmap for Semiconductors）预测到2021年CMOS工艺的特征尺寸将减小到10 nm，而截止频率ft 将接近1 THz。德国IHP研究所的SiGe工艺晶体管的截止频率ft和最大振荡频率fmax 都已经分别达到了300GHz和500GHz，相应的硅基工艺电路工作频率可扩展到200GHz以上。
由于硅工艺在成本和集成度方面的巨大优势，硅基毫米波亚毫米波集成电路的研究已成为当前的研究热点之一。美国佛罗里达大学设计了410GHz CMOS振荡器，加拿大多伦多大学研制了基于SiGe HBT工艺的170GHz放大器、160GHz混频器和基于CMOS 工艺的140GHz变频器，美国加州大学圣芭芭拉分校等基于CMOS 工艺研制了150GHz 放大器等，美国康奈尔大学基于CMOS工艺研制了 480GHz倍频器。在系统集成方面，加拿大多伦多大学设计了140GHz CMOS接收机芯片 和165GHz SiGe 的片上收发系统，美国加州大学柏克莱分校首次将60GHz频段硅基模拟收发电路与数字基带处理电路集成在一块CMOS芯片上，新加坡微电子所也实现了包括在片天线的60GHz CMOS 收发信机芯片，美国加州大学洛杉矶分校报道了0.54THz的频率综合器，德国乌帕塔尔综合大学研制了820GHz硅基SiGe 有源成像系统，加州大学伯克利分校采用SiGe 工艺成功研制了380GHz 的雷达系统。通过采用硅基技术，包含数字电路在内的所有电路均可集成在单一芯片上，因此有望大幅度降低毫米波通信系统的成本。
在毫米波亚毫米波硅基集成电路方面我国大陆起步稍晚，但在国家“973”计划、“863”计划和自然科学基金等的支持下，已快速开展研究并取得进展。东南大学毫米波国家重点实验室基于90nm CMOS工艺成功设计了Q、V和W频段放大器、混频器、VCO等器件和W波段接收机、Q波段多通道收发信机等，以及到200GHz的CMOS倍频器和到520GHz的SiGe振荡器等。
图 4 211-263 GHz宽带功率放大器芯片
GaN作为第三代宽禁带化合物半导体，具有大的禁带宽度、高的电子迁移率和击穿场强等优点，器件功率密度是GaAs功率密度的五倍以上，可显著的提升输出功率，减小体积和成本。随着二十世纪九十年代GaN材料制备技术的逐渐成熟，GaN 器件和电路已成为化合物半导体电路研制领域的热点方向，美国、日本、欧洲等国家将GaN作为微波毫米波器件和电路的发展重点。近十年来，GaN的低成本衬底材料碳化硅（SiC）也逐渐成熟，其晶格结构与GaN相匹配，导热性好，大大加快了GaN器件和电路的发展。近年来GaN功率器件在毫米波领域飞速发展，日本Eudyna公司报道了0.15μm 栅长的器件，在30 GHz 功率输出密度达13.7 W/mm。美国HRL报道了多款E波段、W波段与G波段的GaN基器件，W波段功率密度超过2W/mm，在180GHz功率密度达到296mW/mm。
国内在微波频段的GaN功率器件已基本成熟，到W波段的GaN功率器件也取得进展。南京电子器件研究所研制的Ka波段GaN 功率MMIC在34～36GHz频带内脉冲输出功率达到15W，附加效率30\%，功率增益大于20dB。
2.2毫米波应用
近年来，毫米波器件性能的不断提高，成本的不断降低，有力促进了毫米波在各个领域的应用。目前基于毫米波频段的应用主要体现在毫米波通信、毫米波成像及毫米波雷达等方面。
2.2.1毫米波通信
随着无线通信技术的飞速发展，6GHz 以下黄金通信频段的频谱已经非常拥挤，很难满足未来无线高速通信的需求。然而，与此相反的是，在毫米波频段，频谱资源丰富但仍然没有得到充分的开发利用。
在移动通信方面，文献探索了毫米波移动通信系统场景、网络结构及空中接口。在目前开展的第五代移动通信（5G）研究中，几个毫米波频段已经成为5G候选频段。 毫米波技术将会在5G 的发展中起着举足轻重的作用。
在短距高速通信系统中，60GHz频段得到了广泛地研究和应用。欧洲、美国、加拿大、韩国、日本、澳大利亚以及我国陆续开放了这一频段的免费频谱资源。60GHz频段处于大气衰减峰，虽然不适合远距通信，但可用于短距离传输，且不会对周围造成太多干扰。近年来，在60GHz频段已发展了高速Gbps通信、WirelessHD、WiGig、 近场通讯、IEEE 802.11ad、IEEE802.15.3c 等各种系统与标准。
国内东南大学提出了工作在45GHz频段的超高速近远程无线传输标准（Q-LINKPAN），目前已经成为IEEE 802.11aj国际标准。 45GHz 频段的大气衰减小于1dB/km，因此不仅可以像60GHz频段一样实现高速短距传输，同时也适用于远距传输。目前实验系统已实现84米2Gbps的传输速率，并研制了相应的支持Gbps传输的毫米波芯片。
卫星通信覆盖范围广，是保障偏远地区和海上通信以及应急通信的重要手段，目前其工作频段主要集中在L、S、C、Ku及Ka波段。随着卫星通信研究的不断深入，已在尝试更高频段。 因为毫米波频段可以提供更宽的带宽，因而可实现更高的通信速率。此外，低功耗、小体积、抗干扰以及较高的空间分辨率都是其值得利用的特点。目前卫星与地面通信的主要研究方向集中在两个大气衰减较小的窗口，Q 频段和W 频段，而60GHz频段被认为是实现星间通信的重要频段。
此外，毫米波光载无线通信（RoF）系统也得到了迅速的发展。光纤具有成本低、信道带宽大、损耗小、抗干扰能力强等优点得到了快速的发展，成为现代通信系统中不可或缺的部分。正如上文提到的，毫米波具有传输容量大、体积小等优点，但也有空间传输损耗大等缺点。毫米波RoF系统结合了毫米波和光纤通信的优点，是实现宽带毫米波通信远距离传输的有效手段。自从1990年光载无线通信的概念被提出之后，这个领域目前在毫米波频段成为了研究热点，很多研究小组在不同的毫米波频段进行了研究，比如60GHz、75-110GHz、120GHz、220GHz、250GHz 等。
图 5 220 GHz滑动中频通信收发芯片
图 6 高功率宽带300 GHz发射机
2.2.2毫米波成像
利用毫米波穿透性、安全性等优点，毫米波成像可有效地对被检测物体进行成像，在国家安全、机场安检、大气遥感等方面得到了广泛的研究，根据成像机理分为被动式成像和主动式成像。
毫米波被动式成像是通过探测被测物自身的辐射能量，并分辨不同物质辐射强度的差异来实现成像。被动式成像从机理上看是一种安全的成像方式，不会对环境造成电磁干扰，但对信号本身的强度以及接收机的灵敏度要求较高。国内外对毫米波被动式成像技术已开展了大量的研究。
毫米波主动式成像主要是通过毫米波源发射一定强度的毫米波信号，通过接收被测物的反射波，检测被测目标与环境的差异，然后进行反演成像。主动式成像系统可以对包括塑料等非金属物体进行检测，其受环境影响较小，获得的信息量大，可以有效地进行三维成像。常用的主动式成像系统主要包括焦平面成像以及合成孔径成像。
2.2.3毫米波雷达
毫米波雷达具有频带宽、波长短、波束窄、体积小、功耗低和穿透性强等特点。相比于激光红外探测，其穿透性强的特点可以保证雷达能够工作在雾雨雪以及沙尘环境中，受天气的影响较小。相比于微波波段的雷达，利用毫米波波长短的特点可以有效减小系统体积和重量，并提高分辨率。这些特点使得毫米波雷达在汽车防撞、直升机避障、云探测、导弹导引等方面具有重要的应用。
图 7 77GHz车载六发八收毫米波雷达系统
微波毫米波汽车防撞雷达主要集中在24GHz和77GHz频段上，是未来智能驾驶或自动驾驶的核心技术之一。在直升机毫米波防撞雷达的研究上，人们特别关注毫米波雷达对电力线等的探测效果。
图 8 77GHz车载六发八收毫米波雷达系统
毫米波在大气遥感方面也有很重要的应用，其中代表性的有毫米波云雷达。毫米波云雷达主要针对降水云进行探测，用于探测云内部宏观和微观参数，反映大气热力及动力过程。由于毫米波波长短，在云探测中表现出很高的测量精度和分辨率，具有穿透含水较多的厚云层等优势。
除了民用，毫米波雷达在军事方面也有着非常重要的应用，比如在精确制导武器中，毫米波雷达导引是一项核心技术，是全天候实施目标精确打击的一种有效手段。
太赫兹技术
3.1太赫兹传输
由于太赫兹波在空气中的损耗较大，所以其传输结构是一个不可或缺的部分。对不同传输结构的损耗和色散特性的研究，逐渐成为了太赫兹领域的研究热点。各国科研人员都在努力寻找低损耗、低色散、高功率容量的太赫兹传输结构，也就是寻找适合传输太赫兹波的材料和结构。就研究方法而言，主要是根据太赫兹频段在波谱中夹在毫米波频段和光学频段之间这一特性，人们试图将在这些频段成熟的传输材料进行改进应用到太赫兹频段，这些尝试包括金属圆波导、 平行平面金属波导、 金属线波导、带有金属涂层的介质波导、 全介质波导、亚波长周期孔阵列、椭圆形空心光纤包层的微结构光纤、 双线传输结构、光子晶体等。如上所述，太赫兹频段的传输结构有很多选择，需要针对不同的需求选择合适的导波结构。同时仍需要寻找更低损耗和色散的太赫兹传输线材料和结构。
图 9 高精度检测与成像
3.2太赫兹检测
类似于太赫兹源，其检测方式可以分为非相干检测和相干检测。
3.2.1非相干检测
非相干检测，即直接检测，是指利用检波器将检波信号直接转化为电流或电压信号，得到被测信号的幅度信息。这种检测方式结构简单、动态范围宽，适合于对毫米波、远红外线、可见光等频段的检测。它的一个显著优点是可采用大规模检波阵列进行检测。然而，由于其相位信息的缺失，它难以实现超高分辨率。用于直接检测的检波器一般分为非制冷型检波器和制冷型检波器。非制冷型检波一般工作于室温环境，具有中等的灵敏度和较长的响应时间。制冷型检波器由于其工作温度很低，可以获得很高的灵敏度和较快的反应时间，这方面国内外一些代表性的工作可参看文献。
3.2.2相干检测
不同于非相干检测，相干检测通常采用类似于传统通信系统中的超外差结构，先将太赫兹信号变换到较低的微波毫米波频段，再采用传统的方式提取信号的幅度和相位。由于采用了变频方式，相干检测系统较为复杂，需要混频器等关键元器件，同时对混频器以及太赫兹本振源提出了较高的要求，比如较高的输出功率和较低的噪声等。值得一提的是，由于可检测到相位信息，可以获得较高的分辨率。此外，还可进行信号放大，从而可获得较高的灵敏度。这种技术被广泛应用于各种高分辨率、高灵敏度的探测场景，比如深空探测等。
3.2.3检波器
常用的一些检波器包括：a) 肖特基管检波器：肖特基管不仅可应用于直接检波，还可作为非线性器件用于超外差接收机。应用在直接检波时，具有高效率、低成本以及高集成度等优点；应用于混频接收机系统中，可以获得高分辨率和高灵敏度。b) 热电探测器：热电探测器是利用光辐射与物质之间的热敏效应这一特性而设计的器件，曾被广泛用于远红外线探测，现已逐步用于太赫兹领域。c) 半导体测辐射热计： 测辐射热计一般采用高灵敏度的热敏电阻对照射在探测器的热辐射所产生的相应电阻值变化进行检测，以获得太赫兹波的功率，一般可探测的频率范围为几十个GHz到几十个THz。经典的测辐射热计含有重掺杂半导体。d）半导体热电子测辐射热计：通过半导体或超导体中的电子与晶格相互作用来实现测辐射热计的高热传导性和小热容量，从而使之适合于太赫兹领域。在半导体热电子测辐射热计中，其半导体中的非平衡态电子被称为热电子。 不同于一般的测辐射热计先让晶格吸收功率再将能量传输给自由载流子，在这种测辐射热计中，入射的辐射能量被自由载流子直接吸收，所以晶格温度保持不变。e) 超导热电子测辐射热计：为了进一步提高半导体热电子测辐射热计的灵敏度，该检波器是通过引入介质基片上的NbN、NbTiN 或Nb等构成的超导微桥而实现。按照热电子测辐射热计可以分为两类：一种是声子冷却热电子测辐射热计；另一种是扩散冷却热电子测辐射热计。f) 超导隧道结(SIS)混频器：超导隧道结混频器由具有近似理想开关特性的超导隧道结构成。因此它可以提供较高的变频效率和一定的变频增益，同时它仅需要较小的本振功率，因此噪声较低。 常用的Nb隧道结在700GHz以下具有较好的性能，如果配合高能隙超导材料NbN以及NbTiN等，可以将工作频率拓展到1到2THz。目前超导隧道结混频器的研究逐步由单元设计向多像元发展，特别是大规模多像元集成化接收机设计。g) 场效应晶体管检波器：CMOS 工艺由于其较低的成本和高集成度，受到国内外研究人员的广泛关注。近些年，基于CMOS工艺的太赫兹检波技术取得了显著进展。早期的一些研究中已将场效应晶体管应用于太赫兹检波中，而近期的一些研究中已逐步发展到检波阵列并且集成在THz CMOS 单芯片中。h) 超导转变边缘传感器(TES)：超导转变边缘传感器利用电流加热超导薄膜到超导转变温度，是一种超导非相干检波技术。当检测太赫兹辐射时，超导薄膜可以吸收太赫兹光子，使温度上升，进而使电阻明显升高。这将减少流过超导薄膜的电流，进而降低温度，逐步回到原来稳定的状态。这个过程称为电- 热反馈，在这个过程中可利用高灵敏的电流计读出电流变化。目前最大规模的TES检测器阵列应用是安装在美国的JCMT 望远镜上的SCUBA2探测器阵列。
3.3太赫兹元器件
随着太赫兹技术的快速发展，各国研究人员对太赫兹元器件开展了大量研究，包括太赫兹无源元件，如太赫兹滤波器、太赫兹天线、太赫兹耦合器，以及太赫兹有源器件，如太赫兹变频器，太赫兹倍频器等。
3.3.1太赫兹滤波器
太赫兹频段具有极宽的可用物理带宽。在不同应用场合，需要使用滤波器对太赫兹的频率进行选择。目前报道的太赫兹滤波器有频率选择表面(FSS)、 微机电系统(MEMS) 滤波器、波导腔体滤波器、MMIC 滤波器、CMOS 和SiGe滤波器等。另外，还有一些太赫兹滤波器是基于二维光子晶体、超材料、表面等离子体等结构。a) FSS 空间滤波器在低频段的研究己经相当成熟，而关于太赫兹频段FSS 的研究并不多，只有很少的报道。设计FSS 的主要方法有多谐振单元、多层结构方法、微扰法和基因算法等。频率选择表面采用周期性结构来实现频率选择，已广泛应用于微波毫米波和准光系统。 b) 基于MEMS的太赫兹腔体滤波器与波导腔体滤波器相似，均采用腔体结构来实现，前者使用体硅蚀刻工艺在硅上刻蚀滤波器图形，然后在硅表面溅射金等实现波导腔体特性，而后者直接在金属上使用高精密数控机械加工技术铣出滤波器图形。为了避免昂贵且困难的深硅刻蚀，利用MEMS的高加工精度可以在硅衬底表面刻蚀出周期性沟槽结构，从而可以实现高选择特性的太赫兹低通滤波器。c) 光子晶体太赫兹滤波器是在光子晶体结构中通过引入缺陷实现太赫兹滤波器。d) 激光照射量子阱结构可以使电子与空穴相结合产生光子，而改变载流子浓度可以改变等离子的频率，所以量子阱结构的光学特性可以被入射激光控制，进而设计出基于量子阱结构的太赫兹滤波器。e)太赫兹波长较短，因此有可能基于传统的平面微波毫米波电路结构，使用MMIC、CMOS、SiGe等微纳加工工艺实现太赫兹滤波器的设计。目前这方面的研究已有少量报道。
3.3.2太赫兹天线
随着对太赫兹技术研究的深入，太赫兹天线也逐渐成为研究热点。太赫兹频段相比微波毫米波频段有着更高的工作频率，对应的波长也短很多。由于天线尺寸与波长的相关性，太赫兹天线具有尺寸小的天然优势，但也对加工制作带来了挑战。类似于低频段通信的天线需求，太赫兹天线也分全向天线、定向天线以及多波束天线阵等。常见太赫兹天线包括：a) 太赫兹喇叭天线具有定向波束特性，天线增益高，得到了广泛的研究和应用。由于在太赫兹频段，天线尺寸非常小，对加工精度要求极高，目前英国卢瑟福实验室制作的圆锥喇叭天线已可工作到2.5THz。b) 太赫兹反射面天线具有高增益、低旁瓣、窄波束等优点，也是一种太赫兹技术中经常采用的天线形式，包括单反射面天线和双反射面天线，一般广泛应用于射电天文望远镜。c) 太赫兹透镜天线采用介质透镜，具有高增益、低副瓣等特性。由于集成度较高且可形成透镜阵列，它对太赫兹成像技术的发展起到了重要的推动作用。d) 太赫兹平面天线结构简单，容易与其它电路集成，且加工较容易、成本较低，是一种受到欢迎的结构形式。e) 光电导天线作为产生宽带太赫兹波的一个主要方法，在太赫兹领域得到了广泛的研究。 它的作用是有效地产生大功率、高能量、高效率的太赫兹波，其发展趋势是继续提高产生太赫兹波的功率和效率。另外，一些新型材料在太赫兹天线的设计中也受到了关注，如碳纳米管双极子天线和片上太赫兹3D天线等。
3.3.3太赫兹混频器
在超外差太赫兹系统中，混频器是一个核心器件，其功能是将太赫兹信号向下搬移到微波毫米波频段，从而实现对信号的采集、分析及处理，对太赫兹通信、太赫兹成像、大气监测等领域具有重要影响。目前可以在太赫兹频段容易实现的混频管有超导体-绝缘体- 超导体（SIS）混频管、热电子测辐射热计混频管以及肖特基二极管。前两者对工作环境的温度要求较高，需要低温环境，而肖特基二极管却没有这个限制。近年来，国内外研究人员对太赫兹混频器开展了大量的研究工作。
3.3.4太赫兹倍频器
图 10 高功率300GHz信号源链路
与太赫兹混频器类似，太赫兹倍频器也是太赫兹系统的一个核心器件。通过倍频器，不仅可以由低频率的微波毫米波信号产生高频率的太赫兹信号，也能在一定程度上提高太赫兹信号的频率稳定度和信号质量。主要原理是利用非线性器件，产生两倍或者多倍的输出信号，从而实现信号频率倍增的功能，是目前获取高频率太赫兹信号源的一个重要手段。由于在太赫兹频段，半导体器件的寄生参数对电路性能的影响较大，所以需要对其进行仔细的分析与建模，进而完成倍频器的设计。
3.4太赫兹应用
太赫兹技术的发展激发了很多有意义的应用，带来了多个领域新的发展。 由于篇幅所限，下面仅列举几个典型领域的应用。
3.4.1太赫兹射电天文应用
由于宇宙背景辐射在太赫兹频谱中存在丰富的信息，这使得太赫兹射电天文成为天文观测的重要手段。通过使用太赫兹波对宇宙背景辐射进行研究，可以理解更多关于我们生活的太阳系以及宇宙的进化过程。例如，通过研究星际分子云的太赫兹频段频谱特性，可探究宇宙的起源；分析原子和分子散射出来的频谱信息，可研究宇宙中的新生星系的形成等。
图 11 太赫兹天文应用
3.4.2太赫兹无损检测
太赫兹辐射的光子能量低，对穿透物不会造成损伤，并且可以穿过大多数介电物质。太赫兹波这一特点对于检测非导电材料中的隐藏缺陷或者特殊标记具有很大的发展空间，一般称为无损检测，比如检测油画、航天器和半导体器件等。
3.4.3太赫兹生命科学应用
由于太赫兹辐射波对人体基本无害，同时水和其它组织对太赫兹波具有不同的吸收率，因此它可广泛应用于对人体局部成像和疾病的医疗诊断上，比如对于皮肤癌和乳腺癌等的检测。太赫兹波段包含了大量的光谱信息，对不同的分子，尤其是有机大分子会呈现出不同的吸收和色散特性，因而可以有效地用于测定分子特性，在生命科学领域有着广泛的应用前景，比如测定DNA 的束缚状态、生物组织的特征和蛋白质复合物等。
3.4.4太赫兹安全应用
太赫兹波具有穿透性，能够实现对隐蔽物体的有效检测，可应用于国家安全相关的领域，比如对于隐蔽的爆炸物、隐藏的枪支、邮寄的非法药品的检测和用于机场的快速安检等。
3.4.5太赫兹高速通信
相对于现有微波毫米波通信频段的频谱，太赫兹频段具有海量的频谱资源，可用于超宽带超高速无线通信，比如100Gbps甚至更高。
毫米波与太赫兹领域未来研究方向展望
本节根据目前毫米波及太赫兹领域的现状与发展趋势给出一些重点研究方向的建议
4.1毫米波领域
1) 大功率毫米波固态源
针对5G通信、空天地一体化通信、高分辨率雷达等应用需求，发展GaAs和GaN工艺，提升毫米波固态放大器的输出功率，探索高效率功率合成原理和实现方法。
2) 毫米波III/V族单片集成电路
研究GaAs、InP等III/V族毫米波单片集成电路，改善输出功率和噪声性能指标，提高电路集成度，以满足我国毫米波技术的应用需求。
3) 毫米波硅基集成电路
硅基（如CMOS、SiGe等）毫米波集成电路在功率和噪声等性能上比III/V族单片集成电路要差一些，但高集成度、低成本等特性将使得CMOS或SiGe集成电路在未来毫米波应用领域发挥越来越重要的作用。针对5G无线通信、阵列成像和汽车防撞雷达等应用，研究高集成度、多通道毫米波硅基系统芯片的架构和实现方法。
4) 毫米波测量仪器研制
目前，我国毫米波测试仪器领域基本上被Keysight和R\&S等国外公司垄断，而测试仪表又是发展各种电路与系统的基础。因此，要加强毫米波测量仪器特别是高端毫米波测量仪器的研究与开发。
5) 毫米波应用系统
探索毫米波应用系统的新原理、新架构、新的实现方法，及其在雷达、制导、通信、成像和汽车自动驾驶等领域的创新应用。
4.2太赫兹领域
1) 大功率太赫兹源
高功率源对于太赫兹远距离成像、探测物质内部的高穿透波谱研究、太赫兹通信等至关重要。但到目前为止，低成本、小体积的高功率太赫兹源还没有很好的解决方案，需要持续研究，以期获得突破性进展。
2) 太赫兹信号检测
在太赫兹信号检测方面，近些年得到了长足的进步，许多技术的性能指标已经接近于其理论的极限，但仍然很难满足日益增长的需求。因此，迫切需要探索新的检测原理，发现新的器件，并且在此基础上推进大规模太赫兹检测阵列的研究。
3) 太赫兹固态器件与集成电路
发展III/V族半导体工艺，开展元器件模型和电路设计方法的研究，实现太赫兹器件与单片集成电路；发展硅基集成电路工艺，开展相应元器件模型和电路设计方法的研究，实现太赫兹器件与片上系统。
4) 太赫兹新材料与无源元件
发展新的高精度加工工艺和新型太赫兹材料，探索新的太赫兹无源元件工作机理，研究新型低成本、低损耗、高集成度的太赫兹无源元件。
5) 超高速太赫兹通信
对于未来数据传输速率需要100Gbps甚至更高的场合，研究超高速太赫兹通信技术，包括频谱规划、信道模型、系统架构与标准等。
6) 太赫兹测量技术与仪器
伴随着太赫兹波生成和检测技术的成熟，我国太赫兹仪器的研制也将拉开序幕。太赫兹网络分析仪，太赫兹光谱仪等等对我国太赫兹领域的研制能力有着重要的指导作用。
7) 太赫兹交叉应用领域
目前太赫兹技术的主要研究领域在太赫兹成像，主要集中在生物成像应用。太赫兹波可用于对一些与其波长可比的细胞、DNA等的检测。研究太赫兹波与各种物质之间的相互作用，以期发现新的物理特性，化学变化等，对生物医学的基础领域研究提供思路。开发新的太赫兹技术应用领域对太赫兹技术的整体发展有着强大的推动作用。此外，将已有的太赫兹系统应用推向产业化，设计出易加工，低成本，高性能的商用化太赫兹系统将对国家基础工业的发展带来革命性的变化。
国家自然科学基金项目:
“太赫兹核心器件及收发芯片研究”成果介绍
项目在前序工作的基础上，围绕移动网发展需要，解决太赫兹核心器件及收发芯片的一些关键科学问题，针对移动网专项的目标，完成太赫兹频段多种关键器件性能提升方法研究、在此基础上完成代表性频段收发芯片架构的研究与实验验证，从而为移动网向高频段发展奠定核心元器件基础，提升我国在太赫兹器件方面的原始创新能力，增强国际竞争力。
图 12 项目研究内容、研究目标和主要问题
项目研究有效地提升了太赫兹频段硅基器件输出功率等关键指标，在宽带高频放大器、频率源、收/发信机芯片等核心器件取得国际上最好/最好之一的成果，发表学术论文39篇，其中期刊论文25篇、会议论文14篇。论文主要发表在本领域顶刊、顶会以及国内重要期刊会议，其中被本领域代表性期刊JSSC录用5篇，展现了项目研究成果在国际上该领域的地位；申请国家发明专利10项，其中授权3项；项目研究成果达到了计划书的预期。项目积极主办\参与本领域学术会议，加强与国内外同行的学术交流，扩大了项目研究团队的学术影响力。在毫米波太赫兹器件方向培养研究生29名，2位教授入选国家高层次人才，形成了一支学术思想活跃、创新能力强的中青年科研队伍。
太赫兹频段带来无源和有源器件性能恶化。在分析损耗和缺陷的基础上，研究了改进太赫兹频段晶体管结构的损耗的方法，提出低损无源巴伦、变压器等无源元件的结构，有效提升了典型器件的增益、工作频率、输出功率等关键指标。其中，基于阶梯状晶体管连出结构和改进巴伦提升了硅基太赫兹高增益放大器至250 GHz；基于电感正反馈与共源共栅多级交错调谐架构改善了功率放大器带宽达247-314 GHz；基于槽线低损合成器原理的超宽带的高功率放大器工作在142GHz-182GHz，峰值PAE超过12%；研究了系列频率源电路，采用地墙去耦、共源推推平衡结构、功率合成结构等方法有效提升了硅基倍频源输出功率等指标，倍频源最高输出频率超过300GHz、功率大于0dBm。
在太赫兹典型频段研究了多个发射机/接收机架构，验证了系统级芯片的可行性，支撑太赫兹移动网专项目标。
（1）150 GHz发射机芯片组：采用零中频架构，在140160 GHz频带范围内，该发射机的输出功率均高于8 dBm，当中频信号频率为1 GHz、本振信号频率为148 GHz，发射机的输出功率达到最大值12 dBm，输出功率为报道时国际最好水平之一；
（2）220 GHz零中频发射机芯片：支持高阶调制方式的零中频发射机，其中的倍频链在30 GHz（205235 GHz）的带宽内，提供超过6 dBm的饱和输出功率，末级功放采用四路功率合成。发射机饱和输出功率最大8.7 dBm，带宽达到15 GHz，输出功率达到了当前国际最好的报道之一。
（3）220 GHz滑动中频通信收发芯片：采用滑动中频架构，发射机实现了最大8.7 dBm的饱和输出功率，射频带宽42 GHz，功耗约640 mW，在已报道的工作中，输出功率、带宽和功耗都达到了国际最好水平。接收机实现了最大48 dB的转换增益，10 dB的单边带噪声系数。芯片集成了片上天线，系统联测实现了0.2 m的无线传输，传输速率大于10 Gbps。在已报道的工作中，芯片的转换增益和单边带噪声系数都达到了国际最好水平。
图 13 220 GHz滑动中频通信收发芯片
（4）300 GHz发射机芯片：在280310 GHz带宽上，输出功率高于-7 dBm，300 GHz时的最大输出功率为-4.1 dBm。此外，该发射机的最大转换增益为-11.2 dB，OP1dB为6.5dBm。与同频段基于硅基工艺的发射机相比，该发射前端在300 GHz频段，饱和输出功率、线性度和功耗是目前国际上最好的指标之一。
图 14 高功率宽带300 GHz发射机
参考资料主要来源：
1. 洪伟、余超、陈继新、郝张成，毫米波太赫兹技术，中国科学:信息科学 2016年 第46卷 第8期: 1086–1107
2. 国家自然科学基金"移动网络基础科学问题与关键技术"专项项目（“太赫兹核心器件及收发芯片研究”，61941103，2020.01-2022.12）研究报告